دیتاشیت SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQD40P10-40L_GE3
حجم فایل 86.047 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQD40P10-40L_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 136W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 144nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5540pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 38A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,8.2A
  • Package: TO-252-2(DPAK)
  • Manufacturer: Vishay Intertech